FIB雙束掃描電鏡通過(guò)結(jié)合氣體沉積裝置、納米操縱儀、多種探測(cè)器和可控樣品臺(tái)等附件，實(shí)現(xiàn)了微區(qū)成像、加工、分析和操縱的一體化，在物理、化學(xué)、生物、新材料、農(nóng)業(yè)、環(huán)境和能源等多個(gè)領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。

　　工作原理：高能離子束與樣品表面原子碰撞，導(dǎo)致樣品表面原子被濺射出來(lái)，實(shí)現(xiàn)材料的微區(qū)去除或刻蝕。通過(guò)調(diào)節(jié)離子束的能量和束流，可以控制刻蝕的深度和精度。利用離子束分解金屬有機(jī)氣體化合物，在樣品表面形成薄膜或結(jié)構(gòu)，用于樣品保護(hù)、電路修復(fù)等。SEM電子束照射樣品表面，激發(fā)二次電子等信號(hào)，通過(guò)探測(cè)器收集成像，用于定位樣品、獲取微觀結(jié)構(gòu)和監(jiān)測(cè)加工過(guò)程。在測(cè)試過(guò)程中，通過(guò)旋轉(zhuǎn)樣品臺(tái)，可以實(shí)現(xiàn)電子束的實(shí)時(shí)觀察和離子束的切割或微加工。

　　本公司提供的Helios 5 DualBeam FIB雙束掃描電鏡重新定義了高分辨率成像的標(biāo)準(zhǔn)：高材料對(duì)比度，快、簡(jiǎn)單、準(zhǔn)確的高質(zhì)量樣品制備，用于 S/TEM 成像和原子探針斷層掃描(APT)以及高質(zhì)量的亞表面和 3D 表征。在 Helios DualBeam 系列久經(jīng)考驗(yàn)的性能基礎(chǔ)上，新一代的 Helios 5 DualBeam 進(jìn)行了改進(jìn)優(yōu)化，所有這些都旨在確保系統(tǒng)處于手動(dòng)或自動(dòng)工作流程的運(yùn)行狀態(tài)。